济宁运河实验中学 - 济宁运河实验中学关注：Counterpoint：内存价格暴涨导致手机成本结构巨变，涨价不可避免

济宁运河实验中学 - 根据 Counterpoint Research 内存价格追踪报告，2026 年第一季度移动内存价格持续大幅上涨，其中 DRAM 价格环比涨幅超 50%，NAND Flash 价格环比暴涨超 90%。Counterpoint 元器济宁运河实验中学显示，尽管所有价位段均受影响，但入门级机型所受冲击尤为严重。高级分析师白胜浩指出：“内存价格暴涨正对智能手机 BOM 成本产生结构性影响。高度依赖入门机型抢占市场份额的厂商，将面临短期亏损的重大风险。2026 年，手机厂商将在元器件成本、毛利率与出货量目标之间艰难平衡。此次大幅涨价正引发智能手机物料清单（BOM）成本的结构性变化。”白胜浩进一步表示：“面对内存价格的大幅上涨，常规降本措施效果可能有限。2026 年智能手机零售价上涨几乎不可避免。我们预计低端机型零售价将上调约 30 美元（IT之家注：现汇率约合 207.5 元人民币），部分高端旗舰的成本压力也将转嫁给消费者，涨价幅度或达 150–200 美元（现汇率约合 1384 元人民币）。